徐珑

2013.07-2018.03  荷兰代尔夫特理工大学                                   博士

2010.09-2013.07  中国科学院大学/中国科学院电子学研究所  硕士

2006.09-2010.07  兰州大学                                                           学士

2023-至今    华东师范大学               副教授

2019-2022    Apple                             模拟设计工程师

2018-2019    Dialog Semiconductor   模拟设计工程师

徐珑，华东师范大学副教授，入选上海市领军人才（海外）计划。 分别于2010年和2013年在兰州大学和中国科学院电子学研究所获得电子科学技术学士学位和通信与电子系统专业硕士学位，于2018年在荷兰代尔夫特理工大学获得博士学位，师从Prof. Kofi Makinwa 和 Prof. Johan Huisjing。2018年至2021年先后就职于Dialog Semiconductor荷兰研发中心和Apple日本研发中心。2023加入华东师范大学。

研究领域为高性能模拟/数模混合信号集成电路设计，主要研究方向包括高精度模数转换器、低噪声模拟前端、CMOS智能传感器。在集成电路设计领域发表包括ISSCC、JSSC、ASSCC和SSCL等顶级会议和期刊论文6篇。

• 高性能低噪声模拟前端

• CMOS智能传感器

• 高精度模数转换器

• 电池管理系统芯片

本科生：

《模拟集成电路设计》

《模拟集成电路设计综合实践》

硕博生：

《模拟集成电路与系统设计》

会议

L. Xu, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A ±4A high-side current sensor with 25V input CM range and 0.9% gain error from −40°C to 85°C using an analog temperature compensation technique”, IEEE ISSCC 2018 (Highlighted in ISSCC 2018 press-kit)

L. Xu, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A 10kHz-BW 93.7 dB-SNR chopped ΔΣ ADC with 30V input CM range and 115dB CMRR at 10kHz”, IEEE ASSCC 2017 

L. Xu, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A 12μW NPN-based temperature sensor with a 18.4pJ×K² FOM in 0.18μm BCD CMOS”, IEEE IWASI 2017 

L. Xu, B. Gonen, Q. Fan, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A 110dB SNR ADC with±30V input common-mode range and 8μV Offset for current sensing applications”, IEEE ISSCC 2015 

期刊

L. Xu, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A ±4A high-side current sensor with 0.9% gain error from −40°C to 85°C using an analog temperature compensation technique”, IEEE JSSC 

L. Xu, S. H. Shalmany, J. H. Huijsing, K. A. A. Makinwa, “A ± 12-A High-Side Current Sensor With 25V Input CM Range and 0.35% Gain Error From −40°C to 85°C”, IEEE SSC-L