石艳玲

1986-1993年，于华东师范大学攻读微电子学学士、硕士学位；

1998—2001年，于华东师范大学攻读无线电物理理学博士学位。

1993年至今，于华东师范大学从事教学、科研工作；

2004.3—8月，前往比利时IMEC微电子研发中心从事130/90nm工艺技术研发。

博士，华东师范大学教授、博士生导师。

1986-1993年，于华东师范大学攻读微电子学学士、硕士学位；

1993年至今，留校从事教学科研工作；

2001年，于华东师范大学取得博士学位；

2004.3月—8月，前往比利时IMEC参加130/90nm工艺技术研发。

现任上海市科协集成电路专业委员会委员，华东师范大学微电子专业责任教授，获得高等教育上海市教学成果一、二等奖各1项，获评上海市科委科技启明星、上海市教委优秀青年教师等称号。

与ICRD、华力微电子、华为海思等半导体企业长期合作，系统开展130/90/40/22nm/7nm及以下工艺代器件、后摩尔时代新型器件研究，以产业标准开展器件模型研发及精准参数提取。

承担国家“核高基”重大科技专项子课题、国家自然科学基金等项目20余项，在IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Transactions On Device And Materials Reliability等微电子器件顶级期刊、国际会议及国内核心期刊发表学术论文80余篇，申请发明专利近30项。

专注研究领域及成果包括：（1）VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等；（2）VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模；（3）MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析；（4）各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计；（5）后摩尔时代新型器件及单元电路设计。

上海市科协集成电路专业委员会委员

聚焦集成电路核心器件模型及电路应用研究，系统开展130/90/40/22nm/7nm及以下工艺代器件、后摩尔时代新型器件研究，以产业标准开展器件模型研发及精准参数提取。

专注研究领域及成果包括：（1）VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等；（2）VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模；（3）MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析；（4）各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计；（5）后摩尔时代新型器件及单元电路设计。

本科必修，《半导体器件原理》

本科必修，《集成电路工艺原理》

硕士研究生必修，《VLSI工艺技术》

1、国家科技部重大专项子课题，“22nm FDSOI产业化”—“后道互连建模”，2017/01—至今；

2、华为海思合作项目，“PEX&MRAM建模”，2020/01—至今；

3、国家科技部重大专项子课题，“40nm成套产品工艺和IP-1” —“器件模型及参数提取”，2009/01—2013/05

4、国家自然科学基金面上项目，“深纳米三维FinFET结构栅围寄生电容模型及其波动性分布研究”，2016/01—2019/12

5、上海市自然科学基金，“深纳米工艺代栅围寄生效应及其精准建模研究”，2014/07---2017/06

6、上海市科委，“RF-SOI CMOS 电路设计研究”，2008/09—2010/09

7、上海市科委国际合作项目，“射频平面螺旋电感的电感值算法及硅基集成技术研究”，2008/01—2009/12

8、上海市科委科技启明星计划，“先进RF-CMOS/BiCMOS 技术无源片上电感模型分析及应用”，2004/10—2007/10

9、国家自然科学基金青年基金，“射频硅基开关线型MEMS 移相器研究，2004/1—2004/12

......

专注研究领域及成果包括：

（1）VLSI核心器件直流、射频模型、波动性及统计模型等；

（2）VLSI核心器件栅围及多层互连寄生电容提取及建模；

（3）MOS器件可靠性模型及电路性能时域变化分析；

（4）各种模型参数提取所需的测试结构及测试电路设计；

（5）后摩尔时代新型器件及单元电路设计。

1、2019年，获得华东师范大学教学贡献奖；

2、2017年，获得高等教育上海市教学成果一等奖；

3、2017年，获得高等教育上海市教学成果二等奖一项；

4、2018年，获评华东师范大学“学生心目中最优秀教师奖”；

5、2004年，获评上海市科委科技启明星称号；

6、2004年，获评上海市教委优秀青年教师称号。