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关赵

专任副研究员

信息与电子工程学院      

个人资料

  • 部门: 信息与电子工程学院
  • 毕业院校: 华东师范大学
  • 学位: 博士
  • 学历: 博士
  • 邮编: 200241
  • 联系电话:
  • 传真:
  • 电子邮箱: zguan@ee.ecnu.edu.cn
  • 办公地址: 信息楼248
  • 通讯地址: 上海市闵行区东川路500号

教育经历

2011.09-2015.07  山东师范大学,应用物理学(英语),工学(文学)学士

2015.09-2020.07  华东师范大学,微电子与固体电子学,理学博士

2018.09-2019.09  美国内布拉斯加大学林肯分校,天文与物理学,联培博士

工作经历

2020.09-2022.09  华东师范大学,博士后

2022.09至今  华东师范大学,专任副研究员


个人简介

长期从事基于扫描探针显微镜(SPM)的低维铁电材料、物性与器件基础与应用研究。迄今Nat. Commun., Sci. Adv., Adv. Mater., ACS Nano, Nano Lett. 等期刊发表论文50余(含ESI高被引论文,成果被NatureScience等顶刊引用逾。主持国家自然科学基金青年项目、面上项目,上海市晨光计划,上海脑科学与类脑研究中心求索杰出青年计划,骨干参与国家重点研发计划、重大研究计划、重点项目等,授权中国发明专利2项

社会兼职

研究方向

主要基于扫描探针显微术开展低维铁电材料、物性与器件基础与应用研究

(1)低维铁电与多铁材料的信息存储

(2)低维界面铁电与多铁的构筑与应用(转角,同/异质堆垛等)

(3)扫描探针显微镜 




招生与培养

开授课程

科研项目

主持与参与项目

(1) 国家自然科学基金委员会, 面上项目, 12574192, 基于扫描探针显微镜的二维界面铁电畴结构演化机制与非易失性极化动力学研究, 2026-01-01 至 2029-12-31, 在研, 主持

(2) 国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目(C类)[原青年科学基金项目], 12204171, 基于压电力显微镜的二维IV-VI族材料的铁电性研究, 2023-01-01 至 2025-12-31, 资助期满, 主持

(3) 国家自然科学基金委员会, 重点项目, 12134003, 二元VI族铁谷体铁性的起源、耦合及多场调控研究,2022-01-01 至 2026-12-31, 在研, 参与

(4) 国家自然科学基金委员会, 重大研究计划, 92065102, 超薄自旋极化边态薄膜的结构型缺陷研究及其生长优化, 2021-01-01 至 2023-12-31, 结题, 参与

(5) 国家自然科学基金委员会, 面上项目, 12074119, 铁电薄膜的畴结构演化及其对突触可塑性的调控研究, 2021-01-01 至 2024-12-31, 结题, 参与

(6) 中国国家科技部, 国家重点研发计划, 2024YFA1409701, 极性低维半导体及异质异构的设计与制备,2024-12 至 2029-11, 80万元, 在研, 参与

(7) 中国国家科技部, 国家重点研发计划, 2023YFB4402300, 高能效可重构铁电存算器件及阵列, 2023-12 至 2027-11, 在研, 参与

(8) 上海市教育发展基金会, 上海市教育委员会项目, 22CGA24, 基于扫描探针显微镜的二维MX面外铁电性研究, 2023-01 至 2025-01, 结题, 主持




学术成果

注:#(共同)第一作者 *(共同)通讯作者

[1] Z. Guan#, W. Fan#, L. Wei#, W. Cao, W. Tong, M. Tian, N. Wan, W. Sun, B. Chen, P. Xiang, C. Duan, N. Zhong, Phase Transition of Moiré Edges in Interfacial Ferroelectrics. ACS Nano, acsnano.5c12740 (2025).

[2] L. Wei#, Y. Zheng#, Z. Guan#, W. Tong, W. Fan, H. Xu, W. Sun, Y. Cheng, B. Chen, P. Xiang, C. Duan, N. Zhong, Multi‐Terraced Stacking Engineering in Moiré Ferroelectric Superlattice. Advanced Materials, e14265 (2025).

[3] Z. Guan#, L. Wei#, W. Fan#, Y. Sun, W. Cao*, M. Tian, N. Wan, W. Tong, B. Chen, P. Xiang, C. Duan*, N. Zhong*, Mechanical force-induced interlayer sliding in interfacial ferroelectrics. Nature Communications 16 986 (2025).

[4] W. Fan#, Z. Guan#, L. Wei#, H. Xu, W. Tong, M. Tian, N. Wan, C. Yao, J. Zheng, Y.-Q. Wang, B. Chen, P. Xiang, N. Zhong, C.-G. Duan, Edge Polarization Topology Integrated with Sliding Ferroelectricity in Moiré System. Nature Communications 16,3557 (2025)

[5] L. Yang, Y.-Z. Zheng, A. Mattursun, Y.-Q. Wang, Z. Guan*, R. Huang, Y. Cheng, B.-B. Chen, P.-H. Xiang, C.-G. Duan, N. Zhong*, ACS Applied Materials & Interfaces 17, 24 (2025).

[6] L.-Q. Wei, J.-H. Huang, Z.-J. Ma, Y.-F. Jiang, W.-Y. Tong, Z. Guan*, Y.-Q. Wang, B.-B. Chen, P. Xiang, Y.-G. Shi, C.-G. Duan, N. Zhong*, Materials Horizons 10.1039.D5MH01103E(2025).

[7] Z. Guan#, Y. Zheng#, W. Tong#, N. Zhong*, Y. Cheng, P. Xiang, R. Huang, B. Chen, Z. Wei, J. Chu, C. Duan, 2D Janus Polarization Functioned by Mechanical Force. Advanced Materials 36, 2403929 (2024).

[8] Z. Guan#, Y. Zhao#, X. Wang, N. Zhong*, X. Deng, Y. Zheng, J. Wang, D. Xu, R. Ma, F. Yue, Y. Cheng, R. Huang, P. Xiang, Z. Wei*, J. Chu, C. Duan*, Electric-Field-Induced Room-Temperature Antiferroelectric–Ferroelectric Phase Transition in van der Waals Layered GeSe. ACS Nano 16, 1308–1317 (2022).

[9] Z. Guan#, Y.-K. Li#, Y.-F. Zhao, Y. Peng, G. Han, N. Zhong*, P.-H. Xiang, J.-H. Chu, C.-G. Duan*, Mechanical Polarization Switching in Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film. Nano Letters 22, 4792–4799 (2022).

[10] Z. Guan, H. Hu, X. Shen, P. Xiang, N. Zhong*, J. Chu, C. Duan, Recent Progress in Two‐Dimensional Ferroelectric Materials. Advanced Electronic Materials 6, 1900818 (2019).

[11] L. Wei#, Z. Guan#, W. Tong#, W. Fan, A. Mattursun, B. Chen, P. Xiang*, G. Han, C. Duan, N. Zhong*, Ambient Moisture‐Induced Self Alignment of Polarization in Ferroelectric Hafnia. Advanced Science 11, 2410354 (2024).

[12] Z. Guan, N. Yang, Z.-Q. Ren, N. Zhong*, R. Huang, W.-X. Chen, B.-B. Tian, X.-D. Tang, P.-H. Xiang*, C.-G. Duan, J.-H. Chu, Mediation in the second-order synaptic emulator with conductive atomic force microscopy. Nanoscale 11, 8744–8751 (2019).

[13] A. Lipatov#, P. Chaudhary#, Z. Guan#, H. Lu, G. Li, O. Crégut, K. D. Dorkenoo, R. Proksch, S. Cherifi-Hertel, D.-F. Shao, E. Y. Tsymbal, J. Íñiguez*, A. Sinitskii*, A. Gruverman*, Direct observation of ferroelectricity in two-dimensional MoS2. npj 2D Materials and Applications 6, 18 (2022).

[14] J. Huang, L. Yang, L. Wei, T. Wang, W. Fan, K. Qu, Z. Guan*, B. Chen, P. Xiang, C. Duan, N. Zhong*, Influence of oxygen pressure on the ferroelectricity of pulsed laser deposition fabricated epitaxial Y-doped HfO2. Journal of Applied Physics 136, 014303 (2024).

[15] Z. Guan, Z.-Z. Jiang, B.-B. Tian, Y.-P. Zhu, P.-H. Xiang*, N. Zhong*, C.-G. Duan, J.-H. Chu, Identifying intrinsic ferroelectricity of thin film with piezoresponse force microscopy. AIP Advances 7, 095116 (2017).

[16] Z. Guan#*, T. Wang#, Y. Zheng, Y. Peng, L. Wei, Y. Zhang, A. Mattursun, J. Huang, W.-Y. Tong, G. Han, B. Chen, P.-H. Xiang, C.-G. Duan, N. Zhong*, Observing ferroelastic switching in Hf0.5Zr0.5O2 thin film. Chinese Physics B 33, 067701 (2024).

荣誉及奖励

2018 国家留学基金委,公派留学奖学金


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